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| 保护措施 | 具体方法 |
| 防止静电击穿 |
功率MOSFET的最大特点是有极高的输入阻抗，在静电较强的场合难以泄放电荷，容易引起两种形式的静电击穿：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。防止静电击穿应注意： 1、在测试和接入电路之前，器件应存放在静电包装袋、导电材料或金属容器中，不能放在塑料盒或塑料袋中；取用时，应拿管壳部分而不是引线部分，工作人员需通过腕带良好接地； 2、将器件接入电路时，工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时烙铁应断电； 3、在测试器件时，测量仪器和工作台都必须良好接地；器件的3个电极未全部接入测试仪器或电路前，不要施加电压；改换测试范围时，电压和电流都必须恢复到零； 4注意栅极电压不要过限。 |
| 防止偶然性振荡损坏器件 | 功率MOSFET与测试仪器、接插盒等的输入电容、输入电阻匹配不当时，可能出现偶然性振荡，造成器件损坏；因此，在用图示仪等仪器测试时，在器件的栅极端子处外接10КΩ串联电阻，也可在栅源极之间外接大约0.5uF的电容器 |
| 防止过电压 |
1、栅源间的过电压保护，如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极，而产生相当高的电压Vgs过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的Vgs瞬态电压，还会导致器件的误导通；为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻，或并接约20V的稳压管，特别是要防止樱极开路工作； 2、漏源间的过电压防护，如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流突变会产生比电源电压还高得多的漏极电压过冲，导致器件的损坏；应采取稳压管箝位、二极管箝位或者RC抑制电路等保护措施 |
| 防止过电流 | 若干负载的接入或切除，均可能产生很高的冲击电流，以致Idm超过极限值，此时必须用电流传感器和控制电路使器件回路迅速断开；在脉冲应用中不仅保证峰值电流Ipk不超过最大额定值Idm，而且还要保证其有效值电流Ipk也不超过。 |
| 消除寄生晶体管和二极管的影响 | 由于功率MOSEFT内部构成寄生晶体管和二极管，通常，若短接，该寄生晶体管的基极和发射极就会造成二次击穿；另外，寄生二极管的恢复时间为150ns,而耐压为450V时，恢复时间为500-1000ns；因此，在桥式开关电路中，功率MOSFET应外接快速恢复的并联二极管，以免发生桥臂直通短路故障 |
| 过热保护 |
结温过高会使功率MOSFET损坏，因此必须安装在散热器上，使在最大耗散功率和环境温度最坏情况下，结温低于额定值； 解决过热保护的方法：一是安装一个足够大的散热器，使其散热能力足以在总功耗一定的情况下，使结温限制在150℃之内；二是检测结温，如果结温高于某个值，就应采取关断措施 |
